In组分相关论文
通过对InxGa1-xAs泊松比的两级优化,讨论了泊松比取值对InxGa1-xAs/GaAs异质结应变层中组分分析的影响。以PB模型计算的临界厚度为......
随着人们对更高发光效率以及全光谱发光需求的不断提高,对半导体器件的性能要求也越来越高,新型器件结构正在不断涌现。InGaN外延......
目前,Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料因其优异的特性引起了全世界关注。其中可覆盖光谱范围354nm~1720nm的InxGa1-xN材料,在高效率太阳能电......
本文分析了低压转盘MOCVD生长室中气流的流动特征,首次提出了在高温(700℃左右)下生长InGaAlP外延层时,抑制In组分脱吸附的"动压力模......
据www.stdaily.com网站2011年6月20日报道,今年5月30日,国家自然科学基金委员会工程与材料科学部组织专家对“室温工作的高In组分短波I......
为了实现低功耗的应用,设计了一种增强型InGaAs沟道MOSFET器件,通过改变InGaAs沟道中的In组分和器件掺杂层中的P型掺杂浓度,对器件......
光子增强热电子发射(PETE)全固态太阳能电池是PETE研究的一个重要方向。本文选择P型重掺杂的窄带隙InxGa1-xN材料作为吸收层,N型掺......
用MOCVD方法生长了3种InGaAs/Al0.2Ga0.8As应变多量子阱(MQWs)样品,用于研究在气相中TMIn的含量对MQWs的发光波长和半峰宽(FWHM)以及在X......
分析了In原子在InGaAlP外延生长表面的扩散、并入及脱附过程,给出了In并入外延层的效率表达式.依据该表达式,解释了生长速率、生长......
应用高分辨X射线衍射技术研究了MOCVD在宝石衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱结构。测量(105)非对称面的倒易空间图获得量子阱结构的应......
采用多色LED芯片组合可以提供更优质、更稳定、有良好色温可调性的“智能化”白光光源,是白光照明未来的方向,在显示和可见光通信......
本文采用Silvaco TCAD软件对GaN基InGaN/GaN量子阱蓝光发光二极管(LED)的光谱特性进行了仿真研究。研究结果表明:光谱会随着注入电压......
应用高分辨X射线衍射技术研究了MOCVD在宝石衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱结构。测量(105)非对称面的倒易空间图获得量子阱结构的......