LOW-K相关论文
...
美国半导体研究公司(Semiconductor Research Corp.(SRC)和美国哥伦比亚大学(Columbia University)宣布,双方共同评测分析了低介电......
A Facile Strategy for Non-fluorinated Intrinsic Low-k and Low-loss Dielectric Polymers: Valid Exploi
High-performance iow-k and low-loss circuit materials are urgently needed in the field of microelectronics due to the up......
据《Simeconductor FPD World》2009年第2期报道,日本新能源产业综合开发机构(NEDO)在开发了半导体先进技术-Selete的同时,又成功......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
利用Sol-Gel的方法制备了多孔二氧化硅薄膜.通过优化薄膜制备工艺,实现了多孔二氧化硅薄膜厚度在450 nm～3 000 nm范围内可控,薄膜孔......
在室温下以C4F8和CH4为前驱气体，用电子回旋共振化学气相沉积（ECR-CVD）的方法生长了氟化非晶碳（α-C：F）薄膜。通过傅立叶变化红外光谱分......
对铜(Cu)互连系统使用低k值材料时,应解决的许多相关问题不仅有技术问题,而且有所有权成本(CoO)/质量合格(CoC)问题.从蚀刻和灰化(......
随着集成电路技术的不断发展,在半导体工业中,我们已经进入了亚微米时代。特征尺寸不断减小和金属连线高宽比增加导致互连电容快速......
前文谈到随着芯片集成度的提高，阻容迟滞引起的信号传播延迟、线问干扰以及功耗等成为不可回避的问题而low-k似乎可以改善这些情况......
随着集成电路的快速发展,集成电路互连成为限制芯片性能的主要因素,而降低介质层的介电常数是解决互连问题的重要途径。本文综述了......
随着器件的关键尺寸(Critical Dimension)愈来愈小及导线层数的急剧增加,电阻/电容时间延迟(RC Time Delay)将严重影响整体电路的......
<正>据日经BP社报道,日本DISCO公司开发出了新型激光加工设备"DFL7260",该设备配备2个激光振荡器,只需一台即可切割使用了low-k膜......
随着集成电路向超大规模方向发展,电子元器件朝小型、高速、低能耗、高集成度方向发展。然而互连阻容耦合造成的信号延迟极大地限......
