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在N2气压为2．67×10^-2Pa,500℃的条件下，用MBE方法在GaAs(001)衬底上生长了InN的外延层。生长期间，In流量以3×10^14到24......
夏普欧洲研发基地——英国夏普欧洲研究所使用名为分子束外延（MBE）法的结晶生长技术，试制了类GaN蓝紫色半导体激光器，成功地在室温下产......
采用变磁场霍尔效应方法，在低磁场（B＜0．6T）和低温（T＝77K）条件下，了HEMT器件用调制掺杂GaAs/AlxCa1-xAs异质结构材料的输运特性，给出了材料电......
夏普日前在全球首次成功地使采用MBE(分子束外延)法工艺技术的GaN类蓝紫色半导体激光器产生振荡(图1)。以往只有使用MOCVD(有机金......
