由金属-非晶态半导体-氧化物-半导体等4层结构组成的MSOS电容器,它的正向偏压C-V特性曲线有一个电容的最小值C_min,它反映了a-Si:H......

在ＭＯＳ电容器的基础上提出了一种新型的电容器，它是由金属－非晶态半导体－氧化物半导体４层结构组成的电容器，简称为ＭＳＯＳ电容器，和Ｃ－Ｖ仪画出了它的Ｃ－Ｖ特性......