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研究了射频MEMS压控电容器的设计和制造工艺.压控电容器的制作采用了MEMS制造技术,其主要结构为硅衬底上制作金属传输线电极和介质......
研究了射频MEMS压控电容器的设计和制造工艺，压控电容器的制作采用了MEMS制造技术，其主要结构为硅衬底上制作金属传输电极和介质层，然......
在ＭＯＳ电容器的基础上提出了一种新型的电容器，它是由金属－非晶态半导体－氧化物半导体４层结构组成的电容器，简称为ＭＳＯＳ电容器，和Ｃ－Ｖ仪画出了它的Ｃ－Ｖ特性......
