本文介绍了IGBT (insulated gate bipolar transistor,绝缘栅双极型晶体管)的结构和基本工作原理,讨论了IGBT在设计中需要考虑......

本文在分析传统GCT结构、工作原理及其制作工艺的基础上，提出了一种改进型GCT结构。借助MEDICI软件模拟了两种GCT结构的阻断、导通......

该论文的工作是用MEDICI软件对SiC-MESFET的输出特性、转移特性、击穿电压、频率特性、功率特性进行模拟研究和分析,着重研究了4H-......

SOI(Silicon on Insulator)集成电路具有泄漏电流小,寄生电容小,功耗小,集成度高、抗辐射能力强等优点,已成为功率集成电路(Power ......

设计了一种InGaAs/InAlAs雪崩光电二极管(APD),并利用MEDICI软件进行了模拟仿真。器件采用背入射探测方式。雪崩增益区采用埋层设......

在前期对双掺杂多晶Si栅(DDPG)LDMOSFET的电场、阈值电压、电容等特性所作分析的基础上,仍然采用双掺杂多晶Si栅结构,以低掺杂漏/......

提出一种新的SiGe CMOS结构,用Medici软件对该结构进行二维模拟,分析应变SiGe层、弛豫SiGe层中Ge组份,δ层掺杂浓度以及Si"帽"层厚......

功率集成电路是集成电路的重要分支，作为一个系统的控制部分(弱电)和执行部分(强电)的桥梁，它在电力电子、自动控制、家电通信、汽车......