2500V Planner NPT IGBT的设计

来源 :2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wc836952

【摘要】

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　　本文介绍了IGBT (insulated gate bipolar transistor,绝缘栅双极型晶体管)的结构和基本工作原理,讨论了IGBT在设计中需要考虑的相关参数,建立了2 500 V Planar NPT IGBT

【作者】

：

肖璇李泽宏张金平任敏张波

【机构】

：

电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054

【出处】

：

2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

【发表日期】

：

2011年期

【关键词】

：

IGBT NPT 绝缘栅双极型晶体管 bipolar transistor 阈值电压通态压降击穿电压 Medici软件

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　　本文介绍了IGBT (insulated gate bipolar transistor,绝缘栅双极型晶体管)的结构和基本工作原理,讨论了IGBT在设计中需要考虑的相关参数,建立了2 500 V Planar NPT IGBT器件工艺模型,利用Tsuprem4和Medici软件对其击穿电压、阈值电压、通态压降等参数进行了模拟分析.所设计的IGBT的击穿电压3 100 V,通态压降 3.4V,阈值电压6V.

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