采用射频磁控溅射在二氧化硅衬底上沉积一层厚度200nm的非晶In-Ga-Zn-O(IGZO)薄膜,并在IGZO膜层上沉积厚度分别为20nm、50nm、60nm......

通过N2气氛高温退火、Nb2O5掺杂和采用梳状电极结构等方法,成功提高了TiO2基敏感材料的电导率.实验证明,降低氧分压可增强TiO2自身......

本文采用提拉法成功地生长了钛掺杂浓度为0．1％原子分数的LiAlO2单晶体，借助光学显微镜，结合化学腐蚀法，对Ti：LiAlO2晶体（100）面空气退火前......

TiO2是响应三甲胺(TMA)气体最佳的金属氧化物半导体材料,为保持TiO2基TMA旁热式气敏器件具有较高灵敏度和较低空气阻值(Ra),相应降......