NH3分压相关论文
Zn3N2是一种宽带隙半导体材料,在温度高于400°C氧化可生成p型ZnO:N,p型ZnO:N在电子学和光电子学领域有广泛的应用.在NH3-Ar气氛下......
zn3n2是一种宽带隙半导体材料,在温度高于400℃氧化可生成p型zno:n,p型zno:n在电子学和光电子学领域有广泛的应用.在nh3-ar气氛下,......
