zn3n2薄膜相关论文
采用射频反应溅射法在玻璃衬底上制备Zn3N2薄膜,然后向真空室中通入纯氧气进行热氧化制备ZnO薄膜.利用X射线衍射、扫描电子显微镜......
Zn3N2是一种宽带隙半导体材料,在温度高于400°C氧化可生成p型ZnO:N,p型ZnO:N在电子学和光电子学领域有广泛的应用.在NH3-Ar气氛下......
在科学技术日新月异的当今社会，半导体薄膜材料以其优异的半导体特性和特殊的小尺寸效应已经成为了科技材料研究的热点。目前研究比......
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制备和研究高质量的Zn3N2薄膜有助于拓展新型薄膜材料体系。文章采用反应磁控溅射技术,研究不同的溅射功率、N2-Ar流量比、衬底类......
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采用射频反应溅射法在不同衬底上制备Zn3N2薄膜，然后对其原位氧化制备ZnO薄膜。利用X射线衍射分析（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和光致发......
