SIO2薄膜相关论文
SiO2薄膜作为集成电路绝缘层、光学薄膜器件以及微机电系统薄膜的重要组成部分,在器件制造中起着重要的作用.为了分析Si基SiO2薄膜......
以IDT/(002)ZnO/SiO2/Si多层结构的声表面波器件为研究对象,通过有限元软件对单对叉指的三维结构进行有限元仿真,得到了不同的ZnO......
半导体氧化物纳米颗粒的制备与特性研究是当前的一个热点领域,其中,氧化锌(ZnO)材料是一种性质稳定的直接带隙半导体材料,禁带宽度3.3......
本文针对真空高温合金叶片铸造中晶粒度超标的原因,对其使用的陶瓷型壳内表面进行了分析与究。通过实验和相关的测试分析找到了影......
为研究不同钝化工艺栅介质用SiO2薄膜的高能电子辐射缺陷特征,采用能量为1MeV的高能电子在辐照注量为 1×1015 e/cm2、5×1015 e/c......
研究了SiO2薄膜的微结构与水吸收特性之间的内在联系,分别在Si、Al2O3和JGS3基底应用电子束蒸发沉积SiO2薄膜。实验用原位傅里叶红......
制备SiO2腐蚀溶液BOE,对SiO2湿法腐蚀速率和腐蚀形貌进行了剖析.首先分析了光刻工艺对SiO2薄膜纵向和横向腐蚀速率以及侧壁腐蚀形......
针对半导体产业对氧化硅薄膜的需求,介绍了采用自制的PECVD设备研究了SiO2薄膜生长的膜厚均匀性分别与喷淋板孔结构和工艺参数之间......
SiO2薄膜由于具有玻璃态或无定形结构特征,分子呈现长程无序、短程有序的网络环形结构,使其不仅在光学透射带内具有极其优异的光学特......
黑硅因其独特的纳米结构,具有很宽的光谱吸收范围,极低的反射率,以及一些其他优良的特性,一经发现就获得了科学家们的广泛关注,在硅太阳......
本文叙述了 Hg 敏化光化学气相淀积薄膜的方法,研究了制备 SiO2薄膜的最佳工艺条件。结果表明,当衬底温度约 200℃,而淀积时间、反......
SiO2薄膜是重要的低折射率材料之一,针对离子束溅射(IBS)和电子束蒸发(EB)的SiO2薄膜,采用红外光谱反演技术获得在400—1500 cm 1......
论述了表征SiO2薄膜致密性的三种方法:红外光谱法、折射率法和腐蚀速率法,分析了它们各自的特点。制备了不同衬底和不同工艺的三个......
采用离子束溅射沉积技术,在熔融石英基底上制备了SiO2薄膜,研究了热处理对离子束溅射SiO2薄膜结构特性的影响。热处理温度对表面粗......
SiO2驻极体具有优异的电荷储存能力,其具有器件制作工艺可与微机械加工技术兼容、适合集成化生产等优点,一直是微器件和传感器领域......
分别通过向沉积液内添加表面活性剂、改变沉积电压、调节沉积液PH值、改变电沉积时间等条件在阳极氧化铝表面交流电沉积二氧化......
将阳离子铱(Ⅲ)配合物[Ir(ppy)2(o-phen)]PF6(ppy:2-苯基吡啶;o-phen:1-乙基-2-(4-(5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑-2-基)-苯基)-......
酸性条件下,以正硅酸乙酯为主要原材料,通过溶胶凝胶法引入不同长度桥联基团的有机硅氧烷调节SiO2粒子中的孔径大小和膜层脆性,利......
采用表面活性剂十六烷基三甲基溴化氨(CTAB)为模板剂,在酸性条件下产生多孔结构,再经热处理去除CTAB。实验中使用溶胶?凝胶技术,正......
在碱性催化条件下正硅酸乙酯的溶胶体系中,引入二甲基甲酰胺(DMF)进行原位共溶胶凝胶,并结合常压干燥工艺制备多孔SiO2增透薄膜。......
将n型4H-Si C(0001)偏4°外延材料在1 200℃、1 250℃、1 300℃和1 350℃等4种温度条件下进行高温热氧化,生成SiO2薄膜;通过测试MO......
采用溶胶-凝胶工艺在碱催化条件下制备了多孔结构的纳米SiO2薄膜,研究了不同醇硅比对溶胶体系的粒度分布、薄膜折射率以及透过......
研究了正硅酸乙酯(TEOS)在片状铝颜料表面水解缩聚形成SiO2包覆膜制备Al颜料的反应过程,重点探讨了两阶段升温变化对包覆性能的影......
研究了等离子增强化学气袍淀积(PECVD)制备SiO2薄膜工艺的反应气体流量比、射频功率、淀积腔内压力、基片温度等工艺参数对沉......
氧化锌(ZnO)是一种直接带隙宽禁带半导体材料。它具有很多的优异特性,如近紫外光发射特性、传感特性、生物兼容性等,在发光器件、紫外......
为了提高铝颜料在水性涂料中的耐腐蚀性能,以正硅酸乙酯(TEOS)为前驱物,通过溶胶-凝胶反应在铝颜料表面形成了一层致密的二氧化硅......
在此次研究中,研究的重点集中于深反应离子刻蚀工艺,通过研究DRIE刻蚀钝化时间比影响硅刻蚀形貌的程度,合理化优化工艺参数,借助三......
有机/无机复合光功能材料随着信息技术的发展在近十年来取得了很大的发展,受到国际学术界的广泛关注。溶胶凝胶法作为一种低温合成方......
由于量子限制效应的影响下,Ge量子点具有许多奇特的光学和电学性质,正是对这些特有性质的利用在未来光电子、微电子和单电子器件等领......
蓝宝石晶体是中波红外探测窗口的常见候选材料之一,但其透过率还不能完全满足未来高精度成像的发展趋势,且其表面疏水性能较差,这在一......
论文采用薄膜的多层膜系分析方法建立了FBG光纤光栅薄膜传感器的理论模型。由于基板的热膨胀系数与膜系的热膨胀系数不同,在受热情......
采取离线磁控溅射镀膜工艺,在玻璃上镀制多层介质膜,通过薄膜干涉的方式,使得玻璃表面着色。该方法的色彩的可控性和操作灵活性较强,改......
透明导电氧化物(TCO)薄膜具有透明性和导电性,广泛应用在平面显示器、太阳能电池、表面发热器、热辐射反射镜、电磁屏蔽以及辐射防......
存储器是各大电子产品的核心部件之一,随着科技的不断进步生活水平的不断提高,人们无疑对电子产品中使用的存储器的性能提出了跟高......
在红外材料的发展史上,InSb材料在制作中波红外探测器中占有非常重要的地位。在InSb光伏探测器制作过程中,急需解决的关键工艺是成结......
本文采用溶胶-凝胶法制备了Tb~(3+)掺杂SiO_2光致发光薄膜。通过原子力显微镜(AFM)、荧光分光光度计、椭圆偏振仪等测试仪器对样品......
21世纪,科学技术正以其迅猛的发展改变着人们的生活,但随之而来的能源短缺、环境污染及全球变暖等却成为人类生存所面临的首要问题。......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
用1.064μm波长的单脉冲(6 ns)激光对K9玻璃基底上电子束沉积的单层SiO2薄膜进行了辐照损伤实验。以扫描电镜对K9基底的断面进行分......
作者利用低温氧等离子体处理聚硅烷涂层,成功地制备了SiO2膜.由IR谱给出的Si-O键的吸收峰波数,随氧等离子体处理时间的不同在1065~1088......
基于荷能离子与固体相互作用特点,提出了一种新的制备光致发光材料的方法-- 高能重离子辐照. 用这种方法研究了SiO2薄膜的光致发光......
介绍了一种采用DECR等离子体在低温下制备高质量SiO2薄膜的PECVD工艺.讨论了DECRPECVD工艺中气相O/Si原子比以及沉积速率对SiO2薄......
在半导体平面工艺中,SiO2层薄膜的质量对半导体器件的成品率和性能有重要影响,因而需要对SiO2层薄膜的厚度作必要的检查.SiO2层厚......
SiO2 薄膜由电子束蒸发方法沉积而成。用GPI数字波面光学干涉仪测量了不同沉积条件下玻璃基底镀膜前后曲率半径的变化,并确定了 ......