近年来随着电子通讯行业的迅速发展,满足小型化、集成化、多功能化、大功率化需求的一体成型电感成为研究热点。FeSiCr合金粉因具......

通过掩膜板制备源漏电极的方法，以非晶铟-镓-锌氧化物（a—IGzO）为有源层，制备了结构为ITO／siO2（400nm）／a-IGZO（50nm）／Al的底栅顶接触型（BGTC）光......

InGaZnO薄膜晶体管(InGaZnO thin film transistor,IGZO TFT)与Cu互连组合的驱动背板,在生产线机台上的抗静电放电(electrostatic ......

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