研究重点是非均匀应变对量子阱结构的能带和增益的影响.该文首先采用变分法,从量子阱材料的本征应变弹性能取极小值出发,推导了在......

报道了基于混合应变多量子阱有源材料的半导体光放大器及其增益特性．引入张应变量子阱的SOA器件，增益带宽约为50nm，偏振相关损耗小于1......

采用MOCVD外延交替生长了压应变、张应变InxGa1-xAsyP1-y多量子阱材料,对应1.3 μm波段.平均应变量-0.16%,周期11 nm.采用三个周期......