设计了一种张应变与压应变相结合的混合应变量子阱结构超辐射发光二极管,研究了TE模和TM模在器件中的模式增益,分析了影响增益偏振......

本文报道了采用混合应变量子阱作为有源区的激光器，并对其进行了测试和分析，偏振Ｐ－Ｉ曲线表明这种激光器的ＴＥ和ＴＭ激射模式分别对应于不同的阈......

报道了基于混合应变多量子阱有源材料的半导体光放大器及其增益特性．引入张应变量子阱的SOA器件，增益带宽约为50nm，偏振相关损耗小于1......

采用MOCVD外延交替生长了压应变、张应变InxGa1-xAsyP1-y多量子阱材料,对应1.3 μm波段.平均应变量-0.16%,周期11 nm.采用三个周期......

半导体光放大器(SOA)是未来全光网中十分重要的光有源器件,无论是在光信号处理、光通信网络,还是在生物医学光子学、光传感等领域......