VOX薄膜相关论文
采用磁控溅射法在蓝宝石基底上制备金属钒薄膜，然后在O2中快速热处理获得具有相变特性的VOx薄膜。实验对比了不同的热处理温度和热......
阻变存储器（RRAM）是一种新型非挥发性存储器,具有读写速度快、存储密度高、功耗低、擦写次数多、成本低与传统CMOS工艺相兼容等优点,......
学位
用直流/射频反应磁控共溅射法分别在玻璃和单晶硅片基底上制备VOX薄膜和W掺杂VOX薄膜,经退火后,对薄膜进行电阻-温度特性、XRD、表......
VO_x薄膜是一种红外热敏半导体材料。在钒的低价氧化物中,VO_2以相变幅度大、相变温度最接近室温而倍受关注。在68℃附近VO_2发生......
氧化钒是一种相变材料，它具有独特的低温半导体-高温金属态的相变特性。在从低温半导体到高温金属态的过程中，其晶体结构从低温的单......
用直流/射频反应磁控共溅射法分别在玻璃和单晶硅片基底上制备VOx薄膜和W掺杂VOx薄膜,经退火后,对薄膜进行电阻-温度特性、XRD、表......
期刊
以高纯氧和高纯氩为气源,通过改变薄膜的制备工艺,用直流磁控溅射法在玻璃和单晶硅片上制备了VOx薄膜,并对其进行了退火处理.借助L......
介绍了一种采用反应溅射工艺，通过控制不同气氛的分布制备VOx薄膜的方法，并制备出电阻温度系数(TCR)优于-2%的非制冷红外探测器用VOx......
用反应溅射法制备了VOx薄膜。利用XPS分析技术，研究了薄膜组分与氧分压、基片材料、沉积厚度等工艺条件的关系。结果表明本工艺得到......
以V2O5粉末为原料,采用无机溶胶-凝胶法制备了V2O5凝胶膜,经过真空退火处理得到了以VO2为主的薄膜.利用X射线衍射(XRD)和原子力显......
磁控溅射纯V靶制备钒氧化物VOx薄膜,研究不同氧通量对VOx薄膜x值的调控。采用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、拉曼光谱仪和霍尔效应......
氧化钒(VOx)薄膜在室温附近具有良好的热致半导体-金属相变性能,在光电开关、存储、太赫兹调制、智能窗等领域有广泛的应用。然而,......
氧化钒因具有受热辐射后电阻变化的特性,是微测辐射热计用的热敏电阻的理想材料。此外,基于氧化钒光学带隙横跨可见与红外双波段（0.......
