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研究了俄歇复合、电子泄漏和空穴注入对深紫外发光二极管(DUV LED)效率衰退的影响。结果表明,当俄歇复合系数从10-32 cm6·s-1增大......
随着外延技术和结构设计不断的进步与突破,硅衬底InGaN基LED采用InGaN/GaN多量子阱(MQWs)作为有源区理论上可以覆盖从近紫外到近红......
溶液法制备OLED 一直都是有机电致发光领域的研究热点,虽然基于聚合物材料、采用溶液法制备的OLED已经有很多报道,技术也较为成熟,......
随着LED的迅速发展普及,它已经广泛应用于交通信号灯、大屏显示、城市景观灯、汽车照明和日用照明等领域,并且以GaN为基的LED被认......
为实现凝汽式汽轮机的效率衰退研究,避开了传统研究方法中针对排汽焓的计算或预测,通过对汽轮机做功原理的分析,提出了汽轮机效率......
得益于卓越的发光性能,InGaN材料被公认为是最有希望成为下一代发光二极管核心部分的半导体材料。然而其在高功率下工作时发生的“......
