ZNSE-ZNTE相关论文
近来硒化锌引起了许多研究者的注意。硒化锌在300°K有2.7eV的宽禁带,且有很高的发光量子效率,冈此有可能用它制造可见光谱区域的......
本文报道室温下的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体化合物 ZuSe-ZnTe应变层超晶格的 Raman光谱,得到纵光学声子频移和超晶格结构参数的关系.当......
一种p型应变层超晶格已用调制掺杂技术实现,这种超晶格材料是由不掺杂的ZnSe层和掺Sb的ZnTe层交替生长组成的,电学性质已由霍尔效......
对用分子束外延生长的ZnSe-ZnTe应变层超晶格进行了俄歇电子能谱、透射电镜及喇曼散射等分析测试,结果表明材料具有良好的结构与光......
采用分子束外延方法生长了ZnSe-ZnTe应变层超晶格。采用光致发光方法对ZnSe-ZnTe应变层超晶格的光学特性进行了评价,发光颜色为由......
本文首次研究了ＺｎＳｅ－ＺｎＴｅ多量子阱在室温下的反射型皮秒激子光双稳，实验结果表明，ＺｎＳｅ－ＺｎＴｅ多量子阱在室温下反射型皮秒光双稳的阈值光强和对比度分别为......
本文报道室温下的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体化合物 ZuSe-ZnTe应变层超晶格的 Raman光谱,得到纵光学声子频移和超晶格结构参数的关系.当......
一种p型应变层超晶格已用调制掺杂技术实现,这种超晶格材料是由不掺杂的ZnSe层和掺Sb的ZnTe层交替生长组成的,电学性质已由霍尔效......
运用MBE/FWIII设备成功地生长了高质量的ZnSe-ZnTe应变层超晶格.对材料的特性进行了俄歇电子能谱、低角度X射线衍射、光荧光及拉曼......
