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Defects in Sb implanted Zn O single crystals have been studied by using photoluminescence(PL) spectroscopy,X-ray diffrac......
ZnO作为一种直接宽带隙半导体化合物材料,在室温下禁带宽度为3.37 eV,激子束缚能高达60 meV,在蓝/紫外发光二极管(LEDs)、激光器(LDs)以及......
以N2为P型掺杂源,利用射频磁控溅射技术,通过改变O2:N2比制备了不同N掺杂量的P型ZnO薄膜,详细研究分析了N掺杂ZnO薄膜的PL谱及电学......
用辉光放电质谱(GDMS)测量了原生液封直接(LEC)磷化铟(InP)的杂质含量。利用霍尔效应测到的非掺LEC-InP的自由电子浓度明显高于净施主杂质......
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