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金刚石材料具备独特的电学特性如宽禁带、高击穿场强,结合石墨烯材料优异的导电性质（如超高载流子迁移率）,可以增强金刚石表面的导电......
碳化硅（SiC）材料作为第三代宽禁带半导体材料之一,具有非常良好的物理和电学特性,在制造功率器件方面具有广阔的应用前景。与Si基MOS......
碳化硅（Si C）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）作为宽禁带半导体单极型功率器件，具有频率高、耐压高、效率高等优势，在高压应用领域......
利用SILVACO TCAD软件构建了28 nm MOSFET器件的3维结构，创建了单粒子的迁移率和载流子等仿真物理模型，仿真模拟了重离子入射位置、L......
SiC功率器件是许多航天器用电子设备的重要组成部分，是保障深空探测任务顺利进行的前提和基础。在梳理SiC功率器件发展概况的同时，针......
由于集成电路产业的迅速发展和电力电子功率系统对高效率的要求,以碳化硅（SiC）为典型代表的第三代半导体（宽禁带半导体）引起普遍重视。......
功率半导体器件栅极氧化层退化对功率器件的正常运行产生严重影响,不同偏置应力导致栅氧化层退化形式不同,故栅氧化层的状态监测研......
针对某款轻度混合动力汽车的皮带式启动发电一体机（BSG）控制器的散热问题，利用FloEFD进行数值模拟计算得出其原平行肋片散热器方案的......
SiC材料具有宽的禁带宽度、高的临界击穿电场强度、高的饱和电子漂移速度以及高的热导率等突出特点,使其与Si材料相比,在高温、高......
本文以环境振动监测需求为背景,设计并制作基于MEMS技术晶圆级Li掺杂ZnO多层薄膜加速度传感器。构建了ZnO压电理论模型,优化了ZnO......
硅基功率器件在过去几十年里快速发展,产品不断迭代,但是这些器件正在接近由硅的基本材料所限定的性能极限,所以迫切需要一种新型......
介绍了一种4H-SiC台阶型沟槽MOSFET器件.该结构引入了台阶状沟槽,使用TCAD软件对台阶状沟槽的数量、深度、宽度等参数进行了拉偏仿......
4H-SiC功率MOSFET器件具有栅极驱动电路简单、开关时间短、功率密度大、转换效率高等优良特性,在电力电子系统中有着广泛的应用前......
随着当今大规模集成电路和无线通信技术的生产和使用,电子信息工业迅速崛起并成为重要高新技术产业。由于电子市场需求的爆炸增长,......
在电子产品生产中,底部端子元器件在焊接过程中极易出现空洞现象,底部端子元器件空洞主要表现在TO封装的MOSFET上.为提高产品质量,......
对氢终端金刚石MOSFET进行物理仿真,仿真了栅介质厚度为100 nm的氧化铝栅介质的金刚石MOSFET,得到器件的最大漏电流密度超过400 mA......
大功率金属氧化物半导体场效应管（Metal Oxide Semicoductor Field Effect Transistor,MOSFET）是电力电子系统中最常用的开关器件之......
静电放电 （ESD） 防护结构的维持电压是决定器件抗闩锁性能的关键参数，但ESD器件参数的热致变化使得防护器件在高温环境中有闩锁风险。......
1956年,英特人的创始人戈登·摩尔提出了摩尔定律（Moore’s law）,即集成电路上的晶体管密度每过18个月便会增加一倍。在随后的几十年......
开关电源是大多数电力电子系统的能量来源,随着电力电子技术的不断进步,低电压大电流输出的开关电源成为现今非常热门发展趋势,比......
在空间环境中,航天器内部电子器件因受到高能粒子辐射发生辐射效应而失效,导致航天器异常或故障。其中,单粒子效应是电子器件中常......
电池在串联成组使用时,由于制造工艺、工作环境不同等因素,电池之间荷电状态(SOC)和电压存在不一致的问题.为解决该问题提出了一种......
随着信息技术的飞速发展,半导体脉冲激光器被广泛应用在各个领域。由于光脉冲输出特性可以通过注入的电脉冲信号直接调制,因此电脉......
碳化硅（SiC）MOSFET器件凭借开关速度快、泄漏源电流低和功率密度高等优点,被运用于新能源汽车和国防军工等高温高压大功率的工作领域......
电子产品的发展由于功率MOS器件的出现进入到了一个节能高效的新阶段。为了进一步降低特性阻抗,提高集成度,功率MOS器件的研究重心......
随着电力电子技术的发展,电压浪涌对精密设备造成的影响也越来越大,传统的电压浪涌抑制方法已难以满足要求.对此提出一种基于MOSFE......
万伏级超高压功率器件主要应用在高压直流输电、全电化舰船、高能激光武器等领域。尽管硅（Si）器件通过串联形式可以将模块电压做到10......
电火花加工作为特种加工的一个重要分支,非接触式的加工方式决定了其具有传统机械加工所不具备的优势,从而被广泛应用于涉及国计民......
深空探测活动需要电子元器件在极端低温环境(T＜40 K)中能正常使用.基于低温环境下的应用需求,本文研究了GaN基MOSFET在15～300 K温区......
文章描述了MOSFET和IGBT关断特性的不同,及其对关断瞬间并联均流特性的影响.MOSFET和IGBT共有的MOS门极结构导致其在器件开通过程......
针对传统继电器的机械磨损和电孤灼烧的现象,为满足电动汽车动力电池的开关控制要求,设计了一款基于MOSFET的大功率电源开关.该开......
研制了一种3300 V碳化硅(silicon carbide, SiC) 肖特基二极管(schottky barrier diodes,SBD)嵌入式金属-氧化物半导体场效应晶体......
为了准确地表征4H-SiC MOSFET经过高温栅偏(HTGB)测试后的栅源电压漂移,优化氮退火工艺条件以改善MOSFET栅源电压的稳定性,在n型4H......
尺寸缩小效应会导致金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)的性能变化,引发......
集成应力传感测试芯片是测量片上应力分布的有力工具.本文研究基于(111)硅片的全分量MOSFET应力传感器.相比于压阻型,MOSFET具有灵......
半导体激光器(LD)随着温度的增加，阈值电流升高，输出功率下降。为了使半导体激光器输出激光功率稳定，设计了激光器高精度稳功率电路，使......
激光调Q开关有主动调Q方式和被动调Q方式,在要求有精确时间基准的激光器中需要采用主动调Q的方式来满足同步关系.这里介绍了一种用......
对MOSFET在不同剂量率条件下的电离辐照效应进行了研究。结果显示:在实验的剂量率和总剂量范围内,在各种剂率辐照下,NMOS管和PMOS......
Evaluation of Performance and Reliability of p-type Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transisto
The scaling down of metal-oxide-semiconductor field effect transistors (MOSFETs) through successful gate-last integratio......
本论文主要研究Hf-Ti-O薄膜作为栅介质材料的MOS和ETSOI MOSFET器件性能.通过MOS器件性能研究,得到以Hf-Ti-O薄膜作为栅介质材料具......
电动工具用电机正从有刷直流（BDC）转向无刷直流（BLDC）电机;工业电机需要更高能效的电机,同时需要强固和高质量。安森美以领先的MOSFET......
为实现MOSFET(metallic oxide semiconductor field effect transistor)剂量测量系统与microSelectron-HDR(核通高剂量率后装放射......
