VLS生长机制相关论文
微波辅助催化氧化技术是一种新型的废水处理技术。利用微波加热具有速度快、无滞后反应、无温度梯度等优点,能够提高难降解有机废......
在Ni催化剂的存在下,通过SiCl4的水解氨解反应并在1300℃氨气气氛中进行热氮化处理制得了无定形氮氧化硅纳米线。产物经X射线衍射(......
纳米硅线是新近合成的准一维半导体材料.可以使用激光蒸发、简单物理蒸发经学气相沉积(CVD)等方法制备纳米硅线.电镜分析显示,除直......
该文介绍了利用CVD方法大量制备超纯氮化镓纳米线及微米晶须的最新结果.利用镍、铟及其化合物等做催化剂,在衬底上以及Ga颗粒上制......
本文介绍了ZnSe纳米线的合成、生长机制以及物性方面的研究工作,尝试了多种方法对ZnSe纳米线进行掺杂,并通过制作单根纳米线场效应管......
介绍一维硅纳米线的合成及控制硅纳米线直径的方法、生长机制和不同硅纳米线形态的生成机理以及硅纳米线的量子限制效应.......
在NiE(E=S,Se)纳米粒子辅助下,采用CVD方法,在NiE(E=S,Se)-Zn系统中成功生长出立方闪锌矿结构一维ZnE(E=S,Se)纳米线。生长的ZnSe和ZnS纳米线......
以SiH4为生长气源,利用VLS(气相-液相-固相)互反应生长机制,在RT-CVD生长设备上通过向(111)硅衬底表面引入Au,生长出长达数个微米而直径小于1μm的垂直于衬底表面......
ZnO是一种可用于室温或更高温度下的紫外发光材料,纳米结构的ZnO(如单晶薄膜、纳米粒子膜、纳米线和纳米带等)则更是在紫外激光发......
采用CVD法合成GaSb纳米线,并分析生长时间对其长度的影响,随后对其进行光学表征.实验过程中,分别采用喷金法和滴金法对硅片进行预处理,......
利用热蒸发法分别合成了二氧化锡纳米线和梭形纳米结构阵列,并对这两种不同形貌的产物进行了扫描电子显微镜(SEM),拉曼光谱(Ramans......
在Ni催化剂的存在下,通过SiCl4的水解氨解反应并在1300℃氨气气氛中进行热氮化处理制得了无定形氮氧化硅纳米线。产物经X射线衍射(X......
在纳米线的制备中,气-液-固(VLS)生长机制得到了人们的广泛认可,但该机制的很多细节还停留在模型阶段.依托实验室自行设计的一台生......
介绍一维硅纳米线的合成及控制硅纳米线直径的方法、生长机制和不同硅纳米线形态的生成机理以及硅纳米线的量子限制效应 .......
半导体材料是一类具有半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。尤其当半导体材料的尺度达到纳米数量级时,此时的纳......
本论文工作是围绕课题组承担的新型光电子器件中的异质兼容集成与功能微结构体系基础研究(国家973计划项目,编号2010CB327600)、国......