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石墨烯是一种由碳原子以sp2杂化轨道组成、呈六角蜂窝状结构的二维纳米晶体。由于其特殊的二维结构,产生了极其优异的电学、力学、......
本文首先采用水热法制备有序排列的ZnO纳米棒,再采用化学气相沉积(CVD)法在ZnO纳米棒上生长ZnO纳米线,制备了ZnO复合纳米结构.采用......
采用减压化学气相沉积(RPCVD)设备在Si衬底上外延生长了Ge薄膜材料,通过TEM、XRD、Raman和AFM等测试分析表明,Ge外延薄膜具有很......
采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,在InP衬底上生长InGaAs材料。采用两步生长法制备InGaAs材料,研究低温生长的缓冲层I......
利用反应射频磁控溅射技术,采用两步生长方法制备了ZnO薄膜,探讨了基片刻蚀时间和低温过渡层沉积时间对ZnO薄膜生长行为的影响.研......
报道了采用热壁外延(HWE)技术,在(100),(111)和(211)三种典型Si表面通过两步生长和直接生长法制备GaAs单晶薄膜,经过拉曼光谱、霍......
Si基Ⅱ-Ⅵ族发光晶体材料具有极其广泛和潜在的应用前景,然而在Si衬底上却难以生长出高质量的外延片。在Ⅱ-Ⅵ族材料外延生长之前采......