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利用ISETCAD器件模拟工具,本文模拟了纳米尺度的MOSFETs器件沟道中存在应力时的器件特性,通过模拟我们分析了应力大小和方向发生变......
器件尺寸按比例缩小是实现超大规模集成电路的有效途径，但寄生和二级效应却将器件限在一定的水平，本文在对比分析常温与低温下小尺寸......
按比例缩小技术是驱动集成电路发展的一项关键技术,在进入微纳米后出现了一系列的挑战.文中分析了按比例缩小在光刻技术、器件的亚......
在推导一个等效沟道厚度模型的基础上，对SiC隐埋沟道MOSFET亚阈特性进行了研究。首先利用泊松方程的解对等效沟道厚度的计算式进行......
通过工艺模拟和实验，在引入多晶硅栅等效电容概念的基础上，建立了ＭＯＳ器件亚阈特性的修正模型，并讨论了多晶硅栅离子注入杂质类型对器件亚......
从异质界面处的有效界面态出发 ,研究了 a-Si Nx:H/a-Si:H异质结 a-Si:H TFT的亚阈特征参数的界面效应和有源层的厚度效应 ,发现 a......
随着微电子技术的迅速发展，器件的尺寸越来越接近物理极限，为了延续摩尔定律，人们不断探索新工艺、新方法、新材料、新结构，其中FINFET......
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