交换耦合场相关论文
如何增强反铁磁钉扎层和铁磁被钉扎层之间的交换耦合作用被认为是高性能自旋阀材料研究的一个关键问题[1-4].本文通过磁控溅射的方......
该文以自旋阀巨磁电阻效应多层膜为中心进行了理论和实验的研究,主要结果如下:实验上,彩和射频磁控溅射方法制备了一系列由一层贵......
采用新的磁控溅射两步法沉积自旋阀多层膜,不仅交换耦合作用大大增强,而且可以提高磁电阻比值和降低层间耦合作用.得到磁电阻比值～2......
采用磁控溅射方法制备了Ta/NiFe/Bi(Ag,Cu)/FeMn/Ta和Ta/NiFeⅠ/FeMn/Bi(Ag,Cu)/NiFeⅡ/Ta多层膜.通过X射线衍射研究了薄膜样品Ta/......
采用磁控溅射方法制备了Ta(10nm)/NiFe(8nm)/Cu(2.6nm)/NiFe(3.6nm)/FeMn(9nm)/Ta(10nm)自旋阀多层膜.在Cu/NiFe界面沉积适量厚度......
对于Ｔａ/ＮｉＦｅ/Ｃｕ/ＮｉＦｅ/ＦｅＭｎ/Ｔａ自旋阀多层膜,Ｃｕ原子偏聚到ＮｉＦｅ/ＦｅＭｎ界面将导致自旋阀多层膜中ＮｉＦｅ/ＦｅＭｎ的交换耦合场Ｈｅｘ下降．然而,少量的表面活化原子Ｂｉ被沉积到Ｃｕ层和被钉扎ＮｉＦｅ层之......
用射频磁控溅射方法制备多层膜,研究了双层膜NiO/NiFe的矫顽力Hc和交换耦合场Hex与反铁磁层NiO、铁磁层NiFe厚度的关系,结果表明:N......
在不同的温度下烧结制备 Ni O靶 ,用射频磁控溅射法淀积 Ni O/ Ni81 Fe1 9双层膜 ,研究了不同的温度烧结 Ni O靶对 Ni O/ Ni Fe双......
用射频磁控溅射法在外磁场中淀积 Ｎｉ Ｏ／ Ｎｉ８１ Ｆｅ１９ 双层膜， 利用淀积磁场（ Ｈｄｅ） 诱导易轴并确定交换耦合场方向． 研究了淀积磁场对 Ｎｉ Ｏ／ Ｎｉ Ｆｅ 双层膜特性的......
用射频磁控溅射方法制备多层膜，研究了双层膜ＮｉＯ／ＮｉＦｅ的顽力Ｈｅ和交换耦合场Ｈｅｘ与反铁磁层ＮｉＯ、铁磁层ＮｉＦｅ厚度的关系。结果表明：ＮｉＯ厚度为７０ｎｍ时，Ｈｅｘ最大；Ｈｃ随ＮｉＯ厚度增大而......
采用射频磁控溅射方法制备了一系列自旋阀多层膜.在Cu/NiFe界面处插入适当厚度的Co薄层,可增强界面处的自旋相关散射,增大自旋阀的......
用直流磁控反射溅射制备ＮｉＯ／ＮｉＦｅ双层膜。在保持ＮｉＦｅ层的厚度２０ｎｍ不变的条件下，发现尽管没有用外加磁场引导单向各向异性，由于底盘旋转等因素的影响，ＮｉＯ（７０ｎｍ）／ＮｉＦｅ（２０ｎｍ）双......
实验表明Ta/NiFe/FeMn/Ta多层膜的交换耦合场(Hex)要大于Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta自旋阀多层膜中的Hex.为了寻找其原因, 用X射线光......
采用磁控溅射方法制备了NiFe/FeMn双层膜,分别以Ta,Cu作为缓冲层,Ta作为保护层.实验发现,以Ta为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换耦......
通过改变制备NiO薄膜的氩气压和衬底材料,研究了NiO的结构、表面粗糙度对NiO/CoFe双层膜交换耦合场Hex的影响.实验表明完全自旋未......
对于NiFe/Cu/NiFe/FeMn自旋阀多层膜，Cu原子偏聚到NiFe/FeMn界面将导致自旋阀多层膜中NiFe/FeMn的交换耦合Hex下降，然而，少量的表面活......
