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本文针对150V功率MOSFET,利用电荷耦合概念,采用双层外延漂移区结构,对器件进行了设计与仿真:设置哑元胞,在导通电阻增加很少的情......
FAN8200/FAN8200D是美国快捷半导体公司设计生产的低电压低饱和压降单片式步进电机驱动器集成电路。它带有双路H -桥和两个独立的......
FAN8200/FAN8200D是美国快捷半导体公司设计生产的低电压低饱和压降单片式步进电机驱动器集成电路。它带有双路H-桥和两个独立的垂直......
本文提出了高压低饱和压降GTR的最佳设计方法。分析表明,高压低饱和压降晶体管采用集电区穿通性设计比非穿通性设计有利。并论证了穿通......
该产品的研制是军用电子元器件科研项目,产品采用外延台面扩散结构,具有电流特性好,饱和压降小,击穿电压高,高可靠性和电特性。......
1 3300V牵引级IGBT简介IGBT(绝缘栅双极晶体管)集功率MOSFET的高速性能与双极性器件的低电阻于一体,具有输入阻抗高、电压控制功耗低......
英飞凌科技股份公司近日推出新型低饱和压降VCE(sat)IGBT。此类IGBT专门针对50Hz至20kHz的低开关频率范围进行了优化。这个范围的开......