侧向外延生长相关论文
本文采用低温光致发光谱研究了蓝宝石(0001)衬底上MOCVD侧向外延生长的六方相GaN中的堆垛层错,并使用同步辐射XRD方法研究了该堆垛......
本文尝试用侧向外延(ELOG)方法来降低立方相GaN中的层错密度.TEM平面像的观察表明经过ELOG方法生长后,立方相GaN外延层中的层错密......
该文研究了用MOCVD方法进行立方GaN在SIO掩盖下图形衬底上的侧向外延生长。GaN外延层的结构特征与条形GaN窗口的取向密切相关。在......
为解决目前侧向外延生长技术存在的弊端,我们发展了新的侧向外延方法以减少GaN中的位错密度,提高晶体质量。本文主要研究了湿法刻蚀......
我们发展的蓝宝石图形衬底湿法刻蚀以及基于其上的GaN侧向外延方法,GaN悬桥外延,克服了多种传统侧向外延方法各自难以克服的困难,得到......
制作单晶半导体材料的方法由以下部分组成:提供模板材料;在模板材料上覆盖掩膜;用掩膜在模板材料内形成纳米结构的多元化;向纳米结......
研究了在刻有图形的GaN"衬底”上用HVPE方法侧向外延生长(ELO)GaN的结构特性.在SiO2衬底上侧向外延生长GaN已经实现,并得到了平面......
在有条状SiO2图形的GaN"模板"上,侧向外延方法生长了高质量的GaN.荧光显微镜的结果表明在SiO2掩膜区有成核过程发生.原因可能是SiO......
在有条状SiO2图形的GaN"模板"上,侧向外延方法生长了高质量的GaN.荧光显微镜的结果表明在SiO2掩膜区有成核过程发生.原因可能是SiO......
在低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)系统中利用侧向外延生长(epitaxial lateral overgrowth,ELO)技术进行了二次外延GaN的研究......
研究了在刻有图形的GaN“衬底”上用HVPE方法侧向外延生长 (ELO)GaN的结构特性。在SiO2 衬底上侧向外延生长GaN已经实现 ,并得到了......
研究了在刻有图形的GaN"衬底”上用HVPE方法侧向外延生长(ELO)GaN的结构特性.在SiO2衬底上侧向外延生长GaN已经实现,并得到了平面......
Ⅲ族氮化物是目前最重要的半导体材料之一。InGaN/GaN异质结构具有出色的光学及电学特性,其光谱范围可以覆盖从紫外光波段到可见光......
经过多年发展,硅光子学如今已经成为受到广泛关注的热点研究领域。利用硅的高折射率差和成熟的制造工艺,硅光子学被认为是实现高集......
文章介绍了下一代光存储用半导体激光器———GaN蓝光激光器的发展状况 .对衬底材料的发展现状、外延片的生长技术以及激光器的制......