IC器件尺寸的纳米化,要求高的光刻曝光分辨率,在采用短波长和大数值孔径曝光系统提高分辨率的同时导致了焦深变浅,进而对晶片表面......

三维硅光子集成是通过将各种硅基光子器件分别制作在垂直方向的不同层中，从而构成多层硅光子互连网络。这种技术不仅从物理上避免了......

IC器件尺寸的纳米化,要求高的光刻曝光分辨率,在采用短波长和大数值孔径曝光系统提高分辨率的同时导致了焦深变浅,进而对晶片表面......

半导体制造技术已经达到了亚微米技术水平，CMP（chemical mechanical planarization）化学机械抛光是IC制造工艺中进行全局平坦化唯一的......

CMP的加工过程，是对晶圆表面进行全局平坦化的过程，去除率是整个过程较为关键的指标。影响去除率的有下压力、抛光盘及抛光头的转速......

针对常见的低南介质材料分析了其化学机械全局平坦化的机理，并进一步探讨了低南介质化学机械抛光中包括压力、磨料、pH值和温度在内......