关键门相关论文
随着晶体管研制水平到达纳米尺寸,电路可靠性问题愈发严重,负偏置温度不稳定性(Negative Bias Temperature Instability,NBTI)导致......
关键路径一直是电路性能优化的核心问题之一.门的尺寸调整和插入缓冲器是时间优化的重要方法.实际上,电路拓扑图中最长的路径不一......
为解决现有针对门替换方法的关键门识别方法中存在不可防护的关键门问题,文章提出一种考虑可防护性的关键门识别方法。首先利用现......
在纳米工艺水平下,负偏置温度不稳定性（negative bias temperature instability,NBTI）成为影响集成电路可靠性的关键性因素.NBTI效应......
纳米工艺水平下,负偏置温度不稳定性（negative bias temperature instability,NBTI）成为影响集成电路可靠性的关键性因素。NBTI效应......
为解决现有门替换技术应用中存在的时延仿真不精确和关键门选取冗余问题,对时序分析方法进行改进,通过引入电路内部节点信息,准确......
65nm及以下工艺,负偏置温度不稳定性（NBTI）是限制电路生命周期,导致电路老化甚至失效的最主要因素。本文提出了基于NBTI的时序分析框......
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在关键门输入端插入传输门(TG)是缓解负偏置温度不稳定性(NBTI)效应的一种有效方法,因此关键门的精确识别至关重要。针对现有关键......
随着超大规模集成电路工艺技术的发展，电路集成度和复杂度不断提高，电路老化成为电路可靠性和性能的瓶颈，给电路的测试和可靠性带来了......
集成电路制造工艺的不断进步,带来电路性能上的极大提升和制造成本的不断降低,但同时也使得集成电路系统的可靠性问题变得更加严峻......
随着晶体管特征尺寸的不断减小,威胁数字电路可靠性的一个重要因素是负偏置温度不稳定性。为了缓解NBTI效应对电路产生的老化影响,......
随着超大规模集成电路工艺尺寸不断地缩小,电路的性能得到很大的提高,但是同时电路的集成度和复杂度有所提高,由此引起的电路老化......
