化物半导体相关论文
本文提出基于GaN量子阱材料的中远红外量子级联激光器,与现有的基于GaAs材料的远红外量子级联激光器相比,它能显示出明显的优越性.......
近几年来,GaN以代表的新一代Ⅲ-Ⅵ族氮化物半导体材料发展迅猛.GaN具有禁带宽度大,热稳定性及化学稳定性好,电子极限漂移速度大等......
本文给出了使用国产ICP设备制作GaN台面的实验结果,经过实验选定的工艺条件为:充气前真空度5×10Pa;Ar流量60sccm;CClF流量60sccm;......
简要回顾了氮化物半导体的主要特征和应用前景,目前国际上和国内的主要研究现状,市场分析与预测。由此可以看出,氮化物的研究已经成为......