对AlGaInP/GaAs HBT制备中的基区台面腐蚀、欧姆接触和掩模版标记套刻技术进行了研究,对上述工艺中发现的问题,提出了解决方法,获......

阻断电压12 kV,平均通态电流1kA的超高阻断电压晶闸管已经面世。为了获得高的阻断电压和低的通态压降,优化了扩散热工艺以及门极和......

分析了SITH沟道及外延层反向耐压承受能力,并通过对不同芯片的栅-阴击穿电压特性的测试结果的分析研究,论述了台面腐蚀是直接影响V......

InAs/GaSb II类超晶格材料是近年兴起的新型本征吸收窄禁带半导体材料，优异的性能使其在军事等领域有非常广泛的应用。受材料生长技......

本文提出了适于２．４μｍ ＧａＩｎＡｓＳｂ台面结构探测器制备的ＨＦ／Ｈ２Ｏ２／Ｃ４Ｈ６Ｏ６／Ｈ２Ｏ腐蚀液体系，并确定了合适的成分配比。实验结果表明，该腐蚀液体系对ＧａＩｎＡｓＳｂ材料腐蚀速度适中、侧向......