基于Synopsys SWB仿真平台,研究了高K介质金属栅器件中栅功函数变化在N/PMOSFET器件的影响；模拟和分析了金属栅功函数在Lgate=32 nm......

在FinFET技术中Fin的宽度对器件性能有重要影响。较窄的Fin能够更好地抑制短沟道效应,改善器件亚阈值特性,但同时也导致源漏扩展区......

随着Si基晶体管的发展越来越接近其物理极限,Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料因其相比Si更高的载流子迁移率和注入速度而得到广泛研究。获......

功率VDMOS器件除了广泛应用于家电、工业控制等领域外,还大量应用于核环境和空天环境的电力电子系统。核环境和空天环境中存在的多......