Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体相关论文
该文阐述了集成电路用半导体材料的完整性，均匀性及相关工艺设备与检测技术的发展趋势；当前大直径硅片的研究热点及硅基材料开发的新......
会议
以砷化镓为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体是半导体材料非常重要的组成部分.同共它半导体材料(主要是Si、Ge)相比,这类半导体具有禁带......
学位
在能源问题日益困扰着人类生活的今天，太阳能作为一种取之不尽用之不竭的清洁能源得到了广泛的关注和应用。通过太阳能电池将太阳能......
从1954年第一只光电转换效率达到实际应用水平的硅太阳电池在美国贝尔实验室诞生起，光伏技术已有了50多年的发展历史。在上个世纪70......
以往的研究表明，二维碳薄片石墨烯拥有一个通用的光吸收系数。现在，美国能源部劳伦斯伯克利国家实验室的科学家首次证实，所有的二维半......
本发明属于液相外延制备Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体电子材料领域，涉及一种对从液相外延废液中回收高纯金属镓工艺方法的改进。在废镓中加......
近红外光电探测具有许多应用，如光纤通信、安全以及热成像等．虽然Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的光学性能比硅基材料的优越，但是硅基材料由于......
4 Ⅲ-Ⅴ族化合物电池研发的新动向 4．1含GalnNAs（Sb）晶格匹配的三～五结叠层聚光电池 前文介绍在研发与GaAs晶格匹配的1eV带隙的GaInNAs......
依据现有相关的功能晶体材料导热系数实验数据,寻求了晶体材料导热系数与平均原子密度和平均原子量之间关联的经验方程,并对Ⅲ-V族......
三安光电近日公告称，已与多个合作方签署了战略合作协议，力推公司发展成为专业的集成电路公司。值得关注的是，为引入合作方，三安光电大......
用密度泛函理论方法对Ｍｅ３Ｍ／ＰＨ３（Ｍｅ＝ＣＨ３，Ｍ＝Ｇａ，Ｉｎ）体系及相关的一些分子进行了计算，得到优化几何构型，振动基频，电荷分布等参数和可能发生的化学反应的能量，为了比......
基于Si的互补型金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor, CMO S)器件跟随摩尔定律不断的按比例缩小已有几十载......
锌(Zn)是一种P型掺杂物质,其气相扩散过程可广泛应用于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(GaSb、GaAs、GaP、InAs等)的P型掺杂工艺,因此研究Zn在......
<正>2014年,天津三安光电公司报道,他们成功研发了晶格应变三结叠层GaInP/GaInAs/Ge高倍聚光电池,并进行了规模生产,聚光电池效率......
聚光可利用相对便宜的光学系统，成百上千倍地提高照射到电池表面的太阳光强，相应增加电池的输出功率，降低光伏发电系统的成本。而且，聚......
1997年Olson等提出采用Ga1-xInxN1-yAsy四元系材料来研制第三结子电池,因为这是化合物半导体材料中,唯一一种可通过调节x、y值（Ga0.......
<正>1 Ga As材料和太阳电池的特点以Ga As为代表的III-V族化合物半导体太阳电池为什么能取得高效率呢?这与它们材料的特性,以及所......
2014年9月，德国Fraunhofer太阳能系统研究所等单位报道，他们采用SBT研制的四结替层GaInP／GaAs／／GaInPAs／GaInAs聚光电池在324倍AM1．5D光强......
【正】 本文对以砷化镓为主的三、五族化合物半导体集成电路产业的现状做出了描述,并对其发展前景做了预测。以砷化镓(GaAs)为代表......
期刊
介绍了Ⅲ－Ⅴ族化合的单晶生长工艺包括ＬＥＣ、ＶＣＺ、ＶＧＦ／ＶＢ、ＨＢ的发展现状；欲生长大直径、高质量单晶，仍须对热传输和化学计量等问题进行深入研究。目前......
随着Si基晶体管的发展越来越接近其物理极限,Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料因其相比Si更高的载流子迁移率和注入速度而得到广泛研究。获......
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体多结太阳电池具有显著降低光伏发电成本的潜力,其中三结太阳电池的效率已经超过42%,效率的进一步增加取决于材......
学位
本论文主要针对Ⅲ—Ⅴ族量子级联激光器的实验材料,进行了XRD以及PL谱的分析。目的是得到材料的精确的厚度以及组分,与我们所预期......
随着信息技术的发展,化合物半导体材料在微电子和光电子学中发挥越来越重要的作用。以砷化镓(GaAs)为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材......
会议
