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Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体MOS器件界面优化与制备工艺研究
随着Si基晶体管的发展越来越接近其物理极限,Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料因其相比Si更高的载流子迁移率和注入速度而得到广泛研究。获......
学位
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体
原子层沉积
界面态密度
等离子体
Al2O3
MOSFET
退火
后栅工艺
数字腐蚀
欧姆接触
离子注入
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