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围栅器件相关论文
适于纳米尺度集成电路技术的双栅/多栅MOS器件的研究
随着集成电路的发展,器件尺寸进入纳米尺度领域,器件性能受到诸多挑战.针对纳米CMOS器件存在的问题,从可集成性考虑,基于由上而下......
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新型纳米MOS器件工艺与特性研究
硅纳米线围栅器件结构凭借其理想的短沟道抑制能力和高驱动电流,是适合于纳米尺度领域应用的最理想器件结构。北京大学已经提出了......
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