随着集成电路的发展,器件尺寸进入纳米尺度领域,器件性能受到诸多挑战.针对纳米CMOS器件存在的问题,从可集成性考虑,基于由上而下......

在过去的几十年中,互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)工艺主导了主流的硅基集成电路技术。随......

随着半导体工业的飞速发展,晶体管尺寸的不断缩小在大大提高了集成电路的集成度和工作性能的同时,也带来了影响器件稳定性和可靠性......

在下一代光刻(NGL)技术中,限散射角电子束光刻(SCALPEL)技术工艺简单、成本较低,因此是集成电路生产厂家首选的光刻方案之一.本文......

综述了制备深亚微米/纳米CMOS器件的离子蚀刻新技术:考夫曼(Kaufman)离子铣蚀刻、氟基气体多晶硅蚀刻、氯基或溴基气体硅深蚀刻、......

介绍了纳米CMOS器件、纳米电子器件和量子器件的发展动态,提出以信息载体来分类纳米器件的方式.在纳米CMOS器件方面,主要介绍近半......

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随着超大规模集成技术的飞速发展,CMOS图像传感器已成为研究开发的热点。简要介绍和分析了基于非平衡格林函数、维格纳函数与密度......

体硅CMOS技术始终是硅微电子技术的主流,随着CMOS技术进入深亚微米乃至纳米时代,如何利用微米工艺实现纳米器件,成为Si工艺技术的......

源/漏寄生电阻作为器件总电阻的一个重要组成部分,严重制约着纳米CMOS器件性能.随着纳米CMOS器件尺寸不断减小,源/漏寄生电阻占器......