多晶碳化硅相关论文
本文研究了 10 50～ 12 50℃温度下干氧和湿氧中多晶SiC/Si材料的氧化规律 ,讨论了氧化层厚度与时间、温度、气氛的关系 ,用Auger电......
<正> 由于单晶碳化硅(SiC)的出现,目前已经获得使用可维持单晶外延层的特种类型的定向多晶体的碳化硅(SiC)。以前研究人员认为此项......
碳化硅以其优异的电学、机械和化学性能成为极端条件下MEMS器件应用的首选材料。梳齿驱动器的固有频率是MEMS器件结构设计中的一个......
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