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本文利用定量迁移率谱分析技术,通过研究样品霍尔系数和电阻率对磁场强度的依赖关系,获得了样品中参与导电的电子和空穴的浓度和迁移......
通过迁移率分析法对LPE和MBE生成的n-HgCdTe样品进行了研究,获得了样品中体电子,体空穴以及界面电子的迁移率和浓度,通过迁移率谱人地获得的样品中体......
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