汞镉碲相关论文
本文研究了在酸性CdSO_4+HTeO_2~+6HgCl_2 电解液中多晶富镉Hg_(1-x),Cd_(?),Te(x>0.5)的电沉积过程,实现了三种离子在同一电位下......
利用Ｘ射线光电子谱对ＨｇＣｄＴｅ表面氧特性进行了研究，对不同工艺过程中的ＨｇＣｄＴｅ表面进行了测量、分析。结果表明ＨｇＣｄＴｅ表面的自生氧化与表现处理工艺密切相......
测量了系列(1-x)值的电沉积多晶Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜电极在多硫氧化还原电对溶液中的交流阻抗和光电流光谱,据此确定出不同(1-x)值......
用剥层霍耳测量分析了ＭＢＥ生长ＨｇＣｄＴｅ薄膜的Ｂ离子注入的电学特性，测量了薄膜材料的载流子浓度和迁移率分布，当剥层腐蚀到结区，结区增透此起的红外......
对利用ＭＥＢ技术生长的Ｈｇ０．６８Ｃｄ０．３２Ｔｅ薄膜进行了光致发光和喇曼光谱的研究，拟合薄膜光致发光谱得到的禁带宽度，与红外透射谱得到的薄膜带宽相近；其半宽仅......
利用变频导纳谱研究了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．６）ｎ＾＋－ｏｎ－ｐ结中的深能级缺陷，得到其缺陷能级位置在价带上０．１５ｅＶ，同时给出了其俘获截面和缺陷密度，初步认为是Ｈｇ空位或与其相关的复......
对ＨｇＣｄＴｅ／ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ结构热处理后的样品进行深度剥层腐蚀，并用椭偏光谱测量方法，获得了样品在４９０℃经０．５ｈ和２ｈ热处理后不同深度下的组份分布。根据实验结果对Ｚａｎｉｏ等......
<正> 3.5.2,载流子的迁移率图7表示我们用分子束外延技术生长的外延层材料在77K时的电子迁移率与组分的关系,组分对应的波段范围从......
通过用１．０６μｍ的连续波ＹＡＧ激光对ＰＣ型ＨｇＣｄＴｅ探测器的辐照实验，给出了激光对单元和多元ＰＣ型ＨｇＣｄＴｅ探测器的不同型部位辐照的破坏阈值，对工作电流对破坏阈值的影......
通过液相外延技术从大量富碲溶液中生长的（Hg,Cd)Te厚层材料已被用来产生大量可制造焦平面列阵的高质量薄膜。在组分x=0.223的情况......
本文介绍了分子束外延生长ＨｇＣｄＴｅ外延层以及利用平面工艺技术制制敏感波长为８μｍ－１０μｍ的小型ｐ－ｎ结的结果，在分子束外延过程中，生长动态，组分和表面粗......
本文介绍了在利用分子束外延技术生长ＨｇｃｄＴｅ材料方面改进材质量、重复性和柔软性所取得的进展．根据一定的判断标准，对超过１００生的ｎ型外延片的载......
在Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ材料的ＡＥＳ分析中，由于分析电子束辐照作用，可诱导表面Ｈｇ原子的脱附和热升华，导致短时间内样品表面严重失Ｈｇ，使ＡＥＳ定量分析结果产生很大的误差。......
以Ａ．Ｋｏｂａｙａｓｈｉ等的半经验紧束缚模型和Ｈｊａｌａｍｒｓｏｎ－Ｖｏｇｈ－Ｗｏｌｆｏｒｄ－Ｄｏｗ深能级理论为基础，计算了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ中阳离子位替代式杂质（包括Ｎ，Ｏ，Ｃ）与最近邻替代式杂质形成ｓｐ＾３键杂质对后阳离子位杂质Ａ１对称性......
报道了用椭圆偏振技术和红外辐射测温技术对ＨｇＣｄＴｅ生长关键参数实时监测的结果，建立了ＨｇＣｄＴｅ材料在生长温度下的标准光学常数数据库，在研究中对生......
制备了HgCdTe离子注入N~+-P栅控二极管.测量结果表明,由P区一侧表面强反型引起的表面沟道漏电严重限制着器件性能,对这种漏电机制......
测量Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ光导探测器中电阻率与温度及磁场强度的关系。在Ｓｈｕｂｎｉｋｏｖ－ｄｅＨａａｓ（ＳｄＨ）测量，发现了表面电子的浓度在１．２￣５５Ｋ的范围内没有变化，一个包括体电子和两类表面电子的......
用傅里叶变换红外扫找光致发光方法研究了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ体单晶样品。该方法可直接得到ＨｇＣｄＴｅ晶片组分的二维平面分布，并可得到辐射复合在复合机制中所占......
测量了３个ＨｇＣｄＴｅ光导器件和一块液相外延生长ＨｇＣｄＴｅ薄膜材料的磁阻，用两种截流子模型的约化电导张量过程对实验数据进行了分析，拟合结果与实验值符......
利用定量迁移率谱技术，通过对霍尔系数和电阻率与磁场强度的关系，获得了ｎ－ＨｇＣｄＴｅ光导器件表面积累 中子带电子的浓度和迁移率，结果与Ｓｈｕｂｎｉｋｏｖ－ｄｅＨａｓｓ实验和理......
从理论上分析了１８０元ＨｇＣｄＴｅ线列器件的冷屏效应，计算了１８０元ＨｇＣｄＴｅ线列探测器每个光敏元所对应的平面视场角（ＦＯＶ）及其在３００Ｋ背景辐射下的背景限探测率，并将实际的......
通过迁移率分析法对ＬＰＥ和ＭＢＥ生成的ｎ－ＨｇＣｄＴｅ样品进行了研究，获得了样品中体电子，体空穴以及界面电子的迁移率和浓度，通过迁移率谱人地获得的样品中体......
介绍了一种非接触式用于测量少子寿命的微波反射法，并与通常的光电导衰退法进行了比较。......
评论了Ⅱ-Ⅵ族半导体HgCdTe的化学束-气源外延生长系统的设计和研制,介绍了生长HgCdTe外延层和气体源掺碘CdTe外延层的最新结果,这......
报道敢采用改进的区熔工艺生长的三元系金属化合物半导体ＨｇＣｄＴｅ材料研制的短波光伏探测器，其工作温度为室温，在响应波段１．５８－１．６４μｍ内探测率优于３．０......
<正> 本红外探测器装有一个能将入射红外辅射转换成电信号的辐射热计(1)。N型MOS场效应管(2)的漏极与辐射热计的第二端子相连,而其......
<正> 4.在T=100K下, PV HgCdTe应当满足 或超过GOES长波探测仪 探测器的要求 目前,成象仪和探测仪等仪器成功地在GOES-8和GOES-9卫......
<正> 5.1500元中波红外IRCMOS平接列阵的性能在这一节中,我们给出从一个工作于3μm～5μm波段的1500元平接线列上获得的表征结果。......
<正> 在美国空军的计划模拟和分析装置的显示壁上,可以看到计算机产生重现的武器发展和训练、作战的未来面貌。位于赖特-帕特森空......
英国ＧＥＣ－Ｍａｒｃｏｎｉ红外公司根据横向聚集的ＣｄＨｇＴｅ光电探测器列阵已经研制开发了一种传器技术，列阵器件是安装在普通设计的ＣＭＯＳ的多路传输集成电路上的。由于......
第一次报导了HgCdTe双色探测器的性能和它的分子束外延生长材料,这种器件能同时探测4.1μm和4.5μm的辐射。在原位进行掺杂的器件......
高分辨率红外成像系统需要非常长的扫描线列，这些扫描列阵不但具有数千个探测器，而且具有高的性能。本文介绍法国ＬＥＴＩ／ＬＩＲ在长平接列阵方面所......
高分辨率红外成像系统需要具有数千个探测器和高性能的甚长扫描列阵。本文介绍这方面的最新技术发展以及LETI/LIR(红外实验室)的15......
为了达到国防部提出的获取低成本高性能红外焦平面列阵的目标,人们需要一种制造技术,这种技术根据器件的配置和截止波长具有内在的......
HgCdTe已经成为许多电光系统研制与生产所选用的探测器材料,这些电光系统的应用覆盖 2～16μm红外光谱,工作温度在300 K～40 K范围,背......
