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在极低温和强磁场下通过变温Shubnikov-de Haas(SdH)振荡测量,研究了AlXGa1-xN/GaN异质结的子带结构。观察到了磁致子带间散射效应......
Ⅲ族氮化物半导体材料和器件以其所具有的独特优势成为当前半导体科学与技术领域研究的热点。以AlGaN/GaN异质结构为基础的功率电......
采用有效质量理论6带模型,计算了In0.53Ga0.47As/InP量子线的光学性质,具体计算了In0.53Ga0.47As/InP量子线的能带结构、态密度、载流子浓......
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本报告由三篇相互联系又相对独立的研究论文组成,它们研究的对象都属于低维半导体结构,是目前半导体物理领域最热门的研究课题之一,这......
从江崎等提出并制出GaAs/AlGaAs系超晶格以来,随着超薄膜制备技术的发展,对超晶格结构的研究获得了很大的成绩,特别是GaAs/AlGaAs系超晶......
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