常压化学气相淀积相关论文
SiC作为目前最热门的宽带隙半导体材料之一,在微电子应用领域存在广泛的应用前景.该论文主要讨论了蓝宝石衬底上异质外延碳化硅单......
采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系,通过常压化学气相淀积(APCVD)工艺在电化学腐蚀的多孔硅衬底上进行了多晶3C-SiC薄膜的生长,研究了多......
近年来,移动通信、雷达、GPS及高速数据处理系统的迅猛发展大大刺激了市场对高性能半导体器件的需求,高频、低压、低功耗、低噪声、......
采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系在SiO2/Si复合衬底上进行了SiC薄膜的APCVD生长。实验结果表明,H2表面预处理温度过高或时间过长会导致......
SiC是一种宽带隙半导体材料,具有带隙宽、临界击穿场强高、饱和电子漂移速度大等优点,是高温、高频、高功率半导体器件的首选材料,......