利用分子束外延 (MBE)在GaAs( 0 0 1)单晶衬底上进行了α Sn薄膜的生长 ,利用反射高能电子显微镜 (RHEED) ,原位监控α Sn的生长过......

本文简要介绍了用国产研究型GSMBE分子束外延设备生长高速电路用SiGe/Si异质结外延材料所取得的结果.......

该论文系统地介绍了常见的Ⅲ-Ⅴ体材料的基本物理性质、异质结外延生长、应力释放过程、减少应变层中位错密度的常用方法、Ⅲ-Ⅴ分......

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