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掺氧多晶硅薄膜作为钝化膜已成功地应用于半导体器件.为了适应器件制造过程中的高温热处理,有必要探讨膜的高温热退火物理效应.本......
本文通过测量电导率特性对LPCVD掺氧多晶硅(SIPOS)的电学特性进行了研究。结果表明,SIPOS的电学特性与其含氧量和退火温度有关。SI......
通过对半绝缘多晶硅(SIPOS)膜纵向结构均匀性不同结果的对比,论述了SIPOS膜成分的纵向结构分布对晶体管的钝化作用的影响,同时根据......
论述了SIPOS钝化的原理、生产SIPOS晶体管的工艺步骤,以及在制造过程中易出现的问题和解决方法.......
本文用Raman谱特征和Raman峰强度的变化,揭示掺氧多晶硅(SIPOS)的微结构:对于各种氧含量(从8％到38％)的SIPOS生长膜是一种无序结构,其......
本文用XRD,RHEED和SEM对LPCVD掺氧多晶硅的结晶学性质进行了研究.结果表明,对于含氧量为8～37at%预淀积SIPOS薄膜其结构呈无定形.当......
鉴于终端设计在功率晶体管设计中的重要地位,本文主要对目前广泛应用的终端结构的研究,探讨它们的优缺点。结合本公司特有的半绝缘......
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