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Si_(1-x-y)Ge_xC_y的淀积工艺和材料特性
研究了利用减压外延的方法制备Si1-x-yGexCy薄膜的特性及与工艺参数之间的关系,给出了改善表面粗糙度、减少有源区关键尺寸(CD)减......
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