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杂质外扩相关论文

基区杂质外扩对SiGe／Si HBT低温特性的影响

ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ的基区杂质在工艺过程中外扩到发射区和收集区，使得低温增益下降，提出采用适当厚度的隔离层的方法，使ＨＢＴ电流增益在低温下增长。......

期刊

HBT 低温特性杂质外扩锗化硅硅 SiGe/Si HBTCharacters in low temperatureImpurity outward dif

重掺磷衬底上外延层生长工艺研究

重掺磷衬底上硅外延片是制作集成电路开关电源的肖特基二极管和场控高频电力电子器件的首选产品。重掺磷衬底外延片可以大幅降低压......

期刊

正向压降磷掺杂失配杂质扩散杂质外扩

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