氮化镓异质结相关论文
在凝聚态物理领域，半导体低维结构的物理性质成为重点研究对象，该种结构的特殊物理性质在光电子器件方面具有广阔的应用前景。Ⅲ族氮......
利用能量为2 MeV的高能电子束对金属有机物化学气相沉积方法(MOCVD)生长的非故意掺杂氮化镓(GaN)异质结在室温下进行辐照,辐照剂量......
从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发，研究了AlGaN／GaN量子阱电子气密度随Al组份比、势垒层厚度和栅压的变化，比较了能带带阶和极化电......
利用2MeV电子辐照氮化镓（GaN）异质结,辐照剂量分别为1×1015/cm2和5×1015/cm2。电子背散射衍射（EBSD）菊池图的图像质量IQ值随......
对以金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)在蓝宝石<0001>方向生长的氮化镓(GaN)外延层进行能量为1MeV、1.7MeV以及2MeV的电子辐照。卢......
