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分析了4H-SiC射频功率MESFET栅源和栅漏区域内的表面态形成,建立了包含表面态影响的非线性解析模犁,理论描述了对器件输出特性的稳......
CMOS器件的等比例缩小发展趋势导致栅等效氧化层厚度、栅长度和栅面积都急剧减小。对于常规体MOSFET,当氧化层厚度小于2nm时,大量......
