氧化层固定电荷相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

氧化层固定电荷相关论文

影响PMOSFET中NBTI效应的相关因素研究

在PMOSFET上施加负栅压和高温应力后,出现的NBTI效应是超深亚微米MOS器件中重要的可靠性问题之一.研究了NBTI效应对PMOSFET器件参......

期刊

NBTI效应 PMOSFET 界面陷阱氧化层固定电荷 NBTIeffect PMOSFET Interfacetrap Fixed oxide charge

SiO2/4H-SiC MOS界面特性仿真研究

ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......

学位

4H-SiC 沟道迁移率 MOS C-V 界面陷阱近界面氧化层陷阱氧化层固定电荷

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