碳化硅(SiC)半导体具有优良的物理和电学性能,凭借着禁带宽度大、热导率高、击穿电场高和饱和漂移速率高等优点成为了第三代宽禁带......

ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......