氮化镓铝相关论文
采用原子层淀积(ALD),制备Al2O3(8nm)为栅介质的Si衬底AlGaN/GaN金属绝缘栅高电子迁移率晶体管(MIS-HEMT).器件栅长2μm,栅宽100um......
本研究在不同尺寸的(111)面Si衬底上采用MOCVD生长了GaN层，和A1GaNIGaN-on-Si HEMT结构。通过采用多种应力缓冲层和位错过滤层，很大......
本文提出了一种具有P型埋层耐压结构的垂直GaN基异质结场效应晶体管(PBL-VHFET).该新结构器件在关断耐压时,可实现缓冲层内部电场......
为了解决GaN基HFET纵向结构器件目前面临着继续提高击穿电压与保持低比导通电阻之间的矛盾,本文提出一种带电流阻挡层的高耐压pnp......
利用蓝宝石衬底上的AlGaN/GaN异质结制备了90nm T型栅AlGaN/GaN HEMT，其最高特征频率fT和振荡频率fmax分别为86.0 GHz和142.8 GHz。......
GaN材料由于其禁带宽度大、电子饱和速率高、耐高压、抗辐射能力强而成为了制作高温、高频、大功率、抗辐射微电子器材的首选材料......
学位
AlGaN基紫外发光器件在水和空气净化、消毒杀菌、生物探测、医疗、非视距通讯等领域具有广泛的应用前景，引发了国际上广泛的研究兴......
近十几年来,随着半导体技术的快速发展,传统的Si和GaAs等基的器件性能已经接近极限,不能满足半导体的应用需要。由于材料上以及电......
由于AlGaN、AlN材料相对较高的电阻率造成深紫外发光二极管(DUV LEDs)的电流拥堵问题更为严重，通常用于改善可见光LEDs电流分布的办......
