注入区相关论文
本文利用卢瑟福背散射及沟道(RBS/C)技术,二次离子质谱(SIMS)技术等研究了MeVSi离子束轰击对BF2注入Si样品特性的影响.结果表明,退火后在BF2注入形成的PN结结区内仍......
本文介绍在HIRFL重离子加速器上为提高可供的束流强度和扩大加速离子范围而进行的改进工作的进展.正在进行的主要改进项目有注入器......
一、蛏田(埕)的选择和改造1.蛏田的选择蛏田应选择在淡水注入区干露时间小于6小时的内湾滩涂,潮流畅通而又不太急。一般选择中潮区,浪大......
使用半导体器件数值分析工具DESSISE-ISE,对正向栅控二极管R-G电流表征NMOSFET沟道pocket或halo注入区进行了详尽的研究,数值分析表明,......
利用分子束外延方法生长了激射波长约为9μm的GaAs/Al0.45Ga0.55As量子级联激光器,条宽35μ,腔长2mm的器件准连续激射温度最高达120K,8......
GaAs基量子级联激光器的出现,在器件的设计制作和处理工艺上开辟了有意义的前景.本文概述了近年来GaAs基量子级联激光器在波导核心......
量子级联激光器是一种基于子带间电子跃迁的新型单极光源。随着量子级联技术的发展,短波量子级联激光器的发展尤为重要。文章简单地......
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4 纳米器件研制进展和发展趋势人们预测到2012年硅FET的栅长可达到35nm或许更小,这很可能是一个临界尺寸。这时不仅要遇到高电场下......