注碳外延硅相关论文
在N型外延硅中注入C^+并经高温退火形成了SiC沉积．不同条件下进行阳极氧化腐蚀后，在260nm光激发下获得了340nm和430nm的紫外和紫光峰......
获得了不同退火温度注碳外延硅的蓝光发射谱,分析了退火温度对其蓝光发射特性的影响,发现退火温度为1 000℃样品具有最强的发射强......
电化学腐蚀是蓝光发射的前提,但不同的电化学腐蚀条件对发光强度和峰位影响极大,随着电化学腐蚀条件的加强,蓝光峰将被红光峰代替.......
